DTC014EMT2L Rohm Semiconductor
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 843+ | 0.69 грн |
| 1000+ | 0.58 грн |
| 1026+ | 0.57 грн |
| 1039+ | 0.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC014EMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції DTC014EMT2L за ціною від 1.67 грн до 17.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC014EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 30781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC014EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 9734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC014EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC014EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC014EMT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors |
на замовлення 7084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DTC014EMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Case: SOT723 Collector-emitter voltage: 50V Mounting: SMD Collector current: 0.1A Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.15W Type of transistor: NPN Current gain: 35 Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 10kΩ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
DTC014EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DTC014EMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Case: SOT723 Collector-emitter voltage: 50V Mounting: SMD Collector current: 0.1A Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.15W Type of transistor: NPN Current gain: 35 Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 10kΩ Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |