
DTC023EEBTL Rohm Semiconductor
на замовлення 8230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6579+ | 1.85 грн |
6608+ | 1.84 грн |
7463+ | 1.63 грн |
7773+ | 1.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC023EEBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC023EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC023E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTC023EEBTL за ціною від 1.34 грн до 15.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTC023EEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DTC023EEBTL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC023E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DTC023EEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DTC023EEBTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
DTC023EEBTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
DTC023EEBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
товару немає в наявності |