
DTC023JUBTL Rohm Semiconductor
на замовлення 87026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7353+ | 1.66 грн |
7390+ | 1.65 грн |
8153+ | 1.50 грн |
8475+ | 1.39 грн |
12000+ | 1.22 грн |
24000+ | 1.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC023JUBTL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-85, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: UMT3F, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DTC023JUBTL за ціною від 2.29 грн до 17.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTC023JUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DTC023JUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DTC023JUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DTC023JUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 16957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DTC023JUBTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |