DTC023YEBTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.43 грн |
| 43+ | 7.10 грн |
| 100+ | 4.37 грн |
| 500+ | 2.98 грн |
| 1000+ | 2.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC023YEBTL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції DTC023YEBTL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC023YEBTL | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DTC023YEBTL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)