Продукція > ON SEMICONDUCTOR > DTC113EET1G
DTC113EET1G

DTC113EET1G ON Semiconductor

dtc113e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20000+1.83 грн
100000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 20000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC113EET1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DTC113EET1G за ціною від 1.63 грн до 12.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC113EET1G DTC113EET1G onsemi DTC113E-D.PDF Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.25 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EET1G DTC113EET1G onsemi DTC113E-D.PDF Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.74 грн
45+6.79 грн
100+4.15 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EET1G onsemi DTC113E-D.PDF Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
25+12.65 грн
41+7.51 грн
100+4.01 грн
500+2.97 грн
1000+2.82 грн
3000+1.78 грн
6000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EET1G ON Semiconductor DTC113E_D-2310891.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EET1G DTC113E-D.PDF
DTC113EET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.25 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EET1G DTC113E-D.PDF
DTC113EET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.74 грн
45+6.79 грн
100+4.15 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EET1G DTC113E-D.PDF
Виробник: onsemi
Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.65 грн
41+7.51 грн
100+4.01 грн
500+2.97 грн
1000+2.82 грн
3000+1.78 грн
6000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EET1G DTC113E_D-2310891.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.