DTC113EM3T5G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 3.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC113EM3T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.
Інші пропозиції DTC113EM3T5G за ціною від 2.4 грн до 23.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC113EM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DTC113EM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC113EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 175845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DTC113EM3T5G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR |
на замовлення 6912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
DTC113EM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DTC113EM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DTC113EM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT723 Current gain: 3...5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DTC113EM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT723 Current gain: 3...5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ |
товар відсутній |