Продукція > ON SEMICONDUCTOR > DTC113EM3T5G
DTC113EM3T5G

DTC113EM3T5G ON Semiconductor

dtc113e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC113EM3T5G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DTC113EM3T5G за ціною від 2.45 грн до 19.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC113EM3T5G DTC113EM3T5G Виробник : onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.11 грн
16000+2.71 грн
24000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G DTC113EM3T5G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 121000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9678+3.28 грн
10831+2.92 грн
100000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 9678
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G DTC113EM3T5G Виробник : onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 29458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.97 грн
32+10.46 грн
100+6.51 грн
500+4.48 грн
1000+3.95 грн
2000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000248330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - DTC113EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 151845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G Виробник : onsemi DTC113E-D.PDF Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+19.01 грн
32+11.55 грн
100+6.33 грн
500+4.59 грн
1000+3.64 грн
5000+3.16 грн
8000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G DTC113EM3T5G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G DTC113EM3T5G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.