Продукція > ONSEMI > DTC113EM3T5G
DTC113EM3T5G

DTC113EM3T5G onsemi

dtc113e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.84 грн
16000+2.48 грн
24000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC113EM3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DTC113EM3T5G за ціною від 2.73 грн до 16.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC113EM3T5G DTC113EM3T5G ON Semiconductor dtc113ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.65 грн
10831+3.26 грн
100000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G DTC113EM3T5G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 29458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.42 грн
32+9.56 грн
100+5.95 грн
500+4.09 грн
1000+3.61 грн
2000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G ONN dtc113e-d.pdf
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G onsemi dtc113e-d.pdf Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G ONSEMI ONSM-S-A0000248330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - DTC113EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 151845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G dtc113ed.pdf
DTC113EM3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9678+3.65 грн
10831+3.26 грн
100000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G dtc113e-d.pdf
DTC113EM3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 29458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.42 грн
32+9.56 грн
100+5.95 грн
500+4.09 грн
1000+3.61 грн
2000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G dtc113e-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G dtc113e-d.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113EM3T5G ONSM-S-A0000248330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC113EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 151845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.