Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC113ZE3HZGTL
DTC113ZE3HZGTL

DTC113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor

dtc113ze3hzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
842+16.92 грн
1342+10.61 грн
1810+7.87 грн
2131+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 842 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC113ZE3HZGTL за ціною від 3.49 грн до 27.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC113ZE3HZGTL DTC113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC113ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.60 грн
24+12.78 грн
100+7.99 грн
500+5.54 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL DTC113ZE3HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC113ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors Transistor, NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital (Bias Resistor Built-in )
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
13+23.46 грн
22+14.21 грн
100+7.75 грн
500+5.70 грн
1000+5.12 грн
3000+4.17 грн
6000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL DTC113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc113ze3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.40 грн
45+16.90 грн
100+10.59 грн
500+7.57 грн
1000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL DTC113ZE3HZGTL ROHM dtc113ze3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL DTC113ZE3HZGTL ROHM dtc113ze3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL DTC113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc113ze3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC113ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 150mW; 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 33
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1462+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 1462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL datasheet?p=DTC113ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC113ZE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.60 грн
24+12.78 грн
100+7.99 грн
500+5.54 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL datasheet?p=DTC113ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC113ZE3HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors Transistor, NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital (Bias Resistor Built-in )
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.46 грн
22+14.21 грн
100+7.75 грн
500+5.70 грн
1000+5.12 грн
3000+4.17 грн
6000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL dtc113ze3hzgtl-e.pdf
DTC113ZE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.40 грн
45+16.90 грн
100+10.59 грн
500+7.57 грн
1000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL dtc113ze3hzgtl-e.pdf
DTC113ZE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL dtc113ze3hzgtl-e.pdf
DTC113ZE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL dtc113ze3hzgtl-e.pdf
DTC113ZE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZE3HZGTL datasheet?p=DTC113ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 150mW; 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 33
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1462+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 1462 шт
В кошику  од. на суму  грн.