DTC113ZE3TL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 15.05 грн |
| 100+ | 9.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC113ZE3TL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: EMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції DTC113ZE3TL за ціною від 3.18 грн до 20.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC113ZE3TL | Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DTC113ZE3TL | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC113ZE3TL | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
DTC113ZE3TL | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 96 шт В кошику од. на суму грн. |
| DTC113ZE3TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.42 грн |
| 27+ | 11.37 грн |
| 100+ | 7.07 грн |
| 500+ | 4.88 грн |
| 1000+ | 4.31 грн |
| DTC113ZE3TL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 20.05 грн |
| 27+ | 12.07 грн |
| 100+ | 6.56 грн |
| 500+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 4.28 грн |
| 3000+ | 4.21 грн |
| 6000+ | 3.18 грн |
| DTC113ZE3TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTC113ZE3TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)