DTC113ZKAT146 Rohm Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2052+ | 6.05 грн |
| 2500+ | 5.86 грн |
| 5000+ | 5.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC113ZKAT146 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC113ZKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC113Z Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTC113ZKAT146 за ціною від 2.62 грн до 18.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC113ZKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 30316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC113ZKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC113ZKAT146 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN 50V 100MA |
на замовлення 23765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC113ZKAT146 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC113ZKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC113ZKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DTC113ZKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DTC113ZKAT146 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
DTC113ZKAT146 NPN SMD transistors |
на замовлення 1456 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DTC113ZKA T146 | Виробник : ROHM | SOT23 |
на замовлення 3644 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
DTC113ZKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |