Продукція > ROHM > DTC113ZMT2L
DTC113ZMT2L

DTC113ZMT2L ROHM


dtc113zeb-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.97 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC113ZMT2L ROHM

Description: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC113Z Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC113ZMT2L за ціною від 2.72 грн до 21.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L Виробник : Rohm Semiconductor dtc113zeb-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1214+13.76 грн
2000+8.54 грн
5000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC113ZM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.31 грн
28+11.56 грн
100+7.22 грн
500+4.99 грн
1000+4.41 грн
2000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L Виробник : ROHM dtc113zeb-e.pdf Description: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+20.38 грн
69+12.63 грн
111+7.92 грн
500+4.97 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC113ZM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors Digital Trans w/Res VMT3
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+21.01 грн
28+12.86 грн
100+6.99 грн
500+5.12 грн
1000+4.04 грн
5000+3.57 грн
8000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L Виробник : Rohm Semiconductor dtc113zeb-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC113ZM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.