Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC113ZMT2L
DTC113ZMT2L

DTC113ZMT2L Rohm Semiconductor

dtc113zeb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4110+3.45 грн
4226+3.35 грн
5000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 4110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC113ZMT2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC113Z Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC113ZMT2L за ціною від 2.42 грн до 20.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L ROHM dtc113zeb-e.pdf Description: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.68 грн
111+7.32 грн
500+4.59 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L Rohm Semiconductor dtc113zeb-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+14.73 грн
100+9.39 грн
500+6.61 грн
1000+4.92 грн
5000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L Rohm Semiconductor dtc113zeb-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
963+14.73 грн
1510+9.39 грн
2069+6.85 грн
2573+5.31 грн
5000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 963 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC113ZM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
28+10.69 грн
100+6.68 грн
500+4.61 грн
1000+4.07 грн
2000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L ROHM dtc113zeb-e.pdf Description: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.85 грн
69+11.68 грн
111+7.32 грн
500+4.59 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC113ZM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors Digital Trans w/Res VMT3
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
27+12.07 грн
100+6.56 грн
500+4.90 грн
1000+3.80 грн
5000+3.66 грн
8000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L DTC113ZMT2L Rohm Semiconductor dtc113zeb-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L dtc113zeb-e.pdf
DTC113ZMT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.68 грн
111+7.32 грн
500+4.59 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L dtc113zeb-e.pdf
DTC113ZMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+14.73 грн
100+9.39 грн
500+6.61 грн
1000+4.92 грн
5000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L dtc113zeb-e.pdf
DTC113ZMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
963+14.73 грн
1510+9.39 грн
2069+6.85 грн
2573+5.31 грн
5000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 963 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L datasheet?p=DTC113ZM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC113ZMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.86 грн
28+10.69 грн
100+6.68 грн
500+4.61 грн
1000+4.07 грн
2000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L dtc113zeb-e.pdf
DTC113ZMT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+18.85 грн
69+11.68 грн
111+7.32 грн
500+4.59 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L datasheet?p=DTC113ZM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC113ZMT2L
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors Digital Trans w/Res VMT3
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+20.05 грн
27+12.07 грн
100+6.56 грн
500+4.90 грн
1000+3.80 грн
5000+3.66 грн
8000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC113ZMT2L dtc113zeb-e.pdf
DTC113ZMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.