DTC114ECAHZGT116 Rohm Semiconductor


datasheet?p=DTC114ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114ECAHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC114ECAHZGT116 за ціною від 2.60 грн до 12.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Rohm Semiconductor dtc114ecahzg-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+8.81 грн
135+5.61 грн
500+4.05 грн
1000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Rohm Semiconductor dtc114ecahzg-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1606+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 1606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC114ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200/350mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 200/350mW
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.82 грн
50+8.46 грн
100+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
43+7.09 грн
100+4.36 грн
500+2.97 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist
на замовлення 53656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 ROHM dtc114ecahzg-e.pdf Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 12490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 ROHM dtc114ecahzg-e.pdf Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 12490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Rohm Semiconductor dtc114ecahzg-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Rohm Semiconductor dtc114ecahzg-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 dtc114ecahzg-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+8.81 грн
135+5.61 грн
500+4.05 грн
1000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 dtc114ecahzg-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1606+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 1606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 datasheet?p=DTC114ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200/350mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 200/350mW
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.82 грн
50+8.46 грн
100+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 datasheet?p=DTC114ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.40 грн
43+7.09 грн
100+4.36 грн
500+2.97 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 datasheet?p=DTC114ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist
на замовлення 53656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 dtc114ecahzg-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 12490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 dtc114ecahzg-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 12490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 dtc114ecahzg-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116 dtc114ecahzg-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.