DTC114ECAT116 ROHM SEMICONDUCTOR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 9.40 грн |
| 91+ | 4.36 грн |
| 115+ | 3.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC114ECAT116 ROHM SEMICONDUCTOR
Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTC114ECAT116 за ціною від 2.97 грн до 36.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC114ECAT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Mounting: SMD Type of transistor: NPN Case: SOT23 Power dissipation: 0.2W Current gain: 30 Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 169 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC114ECAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114ECAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC114ECAT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114ECAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC114ECAT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DTC114EKAT146 IS PREFERRED |
на замовлення 4378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC114ECAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114ECAT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114ECAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |