Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC114ECAT116
DTC114ECAT116

DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor

24dtc114ecat116-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 18382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
409+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC114ECAT116 за ціною від 1.87 грн до 44.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114ECAT116 DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor 24dtc114ecat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 18382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7576+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 7576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 DTC114ECAT116 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC114ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.53 грн
43+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 DTC114ECAT116 ROHM dtc114ecat116-e.pdf Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.97 грн
500+8.97 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor 24dtc114ecat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
820+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 820 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
17+17.65 грн
100+11.12 грн
500+7.81 грн
1000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 DTC114ECAT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DTC114EKAT146 IS PREFERRED
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.26 грн
16+20.16 грн
100+11.11 грн
500+8.28 грн
3000+6.21 грн
6000+5.66 грн
9000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 DTC114ECAT116 ROHM dtc114ecat116-e.pdf Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.26 грн
40+20.46 грн
100+12.97 грн
500+8.97 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor 24dtc114ecat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor 24dtc114ecat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 24dtc114ecat116-e.pdf
DTC114ECAT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 18382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7576+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 7576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 datasheet?p=DTC114ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114ECAT116
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.53 грн
43+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 dtc114ecat116-e.pdf
DTC114ECAT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+12.97 грн
500+8.97 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 24dtc114ecat116-e.pdf
DTC114ECAT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
820+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 820 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 datasheet?p=DTC114ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114ECAT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.51 грн
17+17.65 грн
100+11.12 грн
500+7.81 грн
1000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 datasheet?p=DTC114ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114ECAT116
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors DTC114EKAT146 IS PREFERRED
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.26 грн
16+20.16 грн
100+11.11 грн
500+8.28 грн
3000+6.21 грн
6000+5.66 грн
9000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 dtc114ecat116-e.pdf
DTC114ECAT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+33.26 грн
40+20.46 грн
100+12.97 грн
500+8.97 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 24dtc114ecat116-e.pdf
DTC114ECAT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
365+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 24dtc114ecat116-e.pdf
DTC114ECAT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.