Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC114EE3TL
DTC114EE3TL

DTC114EE3TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTC114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114EE3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC114EE3TL за ціною від 3.18 грн до 20.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114EE3TL DTC114EE3TL ROHM dtc114ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.97 грн
111+7.27 грн
500+4.55 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL DTC114EE3TL ROHM dtc114ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.69 грн
63+12.97 грн
111+7.27 грн
500+4.55 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL DTC114EE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
27+11.37 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL DTC114EE3TL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 16328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
27+12.07 грн
100+6.56 грн
500+4.90 грн
1000+4.28 грн
3000+3.52 грн
9000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL DTC114EE3TL Rohm Semiconductor dtc114ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL DTC114EE3TL Rohm Semiconductor dtc114ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL DTC114EE3TL Rohm Semiconductor dtc114ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 582 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL dtc114ee3-e.pdf
DTC114EE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+12.97 грн
111+7.27 грн
500+4.55 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL dtc114ee3-e.pdf
DTC114EE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+18.69 грн
63+12.97 грн
111+7.27 грн
500+4.55 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL datasheet?p=DTC114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTC114EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.42 грн
27+11.37 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL datasheet?p=DTC114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTC114EE3TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 16328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+20.05 грн
27+12.07 грн
100+6.56 грн
500+4.90 грн
1000+4.28 грн
3000+3.52 грн
9000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL dtc114ee3-e.pdf
DTC114EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL dtc114ee3-e.pdf
DTC114EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL dtc114ee3-e.pdf
DTC114EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 582 шт
В кошику  од. на суму  грн.