Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC114EE3TL
DTC114EE3TL

DTC114EE3TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTC114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114EE3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC114EE3TL за ціною від 3.26 грн до 24.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114EE3TL DTC114EE3TL Rohm Semiconductor dtc114ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+15.32 грн
1500+9.49 грн
2028+7.02 грн
2256+6.09 грн
3000+4.75 грн
6000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL DTC114EE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.28 грн
26+11.51 грн
100+7.19 грн
500+4.97 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL DTC114EE3TL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors Transistor, NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital (Bias Resistor Built-in )
на замовлення 16308 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
15+21.25 грн
24+12.78 грн
100+6.95 грн
500+5.19 грн
1000+4.53 грн
3000+3.73 грн
9000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL DTC114EE3TL Rohm Semiconductor dtc114ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.77 грн
50+15.32 грн
100+9.49 грн
500+6.77 грн
1000+5.64 грн
3000+4.56 грн
6000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL DTC114EE3TL ROHM dtc114ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL DTC114EE3TL ROHM dtc114ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL DTC114EE3TL Rohm Semiconductor dtc114ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 878 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 150mW; R1: 10kΩ; R2: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1588+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 1588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL dtc114ee3-e.pdf
DTC114EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
930+15.32 грн
1500+9.49 грн
2028+7.02 грн
2256+6.09 грн
3000+4.75 грн
6000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL datasheet?p=DTC114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTC114EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.28 грн
26+11.51 грн
100+7.19 грн
500+4.97 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL datasheet?p=DTC114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTC114EE3TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors Transistor, NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital (Bias Resistor Built-in )
на замовлення 16308 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.25 грн
24+12.78 грн
100+6.95 грн
500+5.19 грн
1000+4.53 грн
3000+3.73 грн
9000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL dtc114ee3-e.pdf
DTC114EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+24.77 грн
50+15.32 грн
100+9.49 грн
500+6.77 грн
1000+5.64 грн
3000+4.56 грн
6000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL dtc114ee3-e.pdf
DTC114EE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL dtc114ee3-e.pdf
DTC114EE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL dtc114ee3-e.pdf
DTC114EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 878 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TL datasheet?p=DTC114EE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 150mW; R1: 10kΩ; R2: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1588+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 1588 шт
В кошику  од. на суму  грн.