Продукція > ON SEMICONDUCTOR > DTC114EET1G
DTC114EET1G

DTC114EET1G ON Semiconductor

dtc114ed.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC114EET1G за ціною від 1.33 грн до 13.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6438+1.90 грн
9000+1.73 грн
27000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 6438
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5814+2.10 грн
72000+1.92 грн
108000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 5814
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5792+2.11 грн
6522+1.87 грн
9000+1.63 грн
24000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 5792
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.19 грн
6000+1.87 грн
9000+1.75 грн
15000+1.52 грн
21000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.24 грн
1500+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.02 грн
66+5.89 грн
91+4.28 грн
104+3.74 грн
500+2.76 грн
607+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 25206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.27 грн
48+6.51 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.02 грн
40+7.34 грн
55+5.13 грн
100+4.49 грн
500+3.31 грн
607+1.80 грн
1669+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+13.02 грн
108+7.80 грн
172+4.88 грн
500+3.24 грн
1500+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : onsemi DTC114E_D-1773690.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 154866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.20 грн
44+7.79 грн
100+4.24 грн
500+3.05 грн
1000+2.16 грн
3000+1.86 грн
6000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G Виробник : ONS dtc114e-d.pdf Транз. Бипол. (со встроенными резисторами 10k) ММ NPN EMT3 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30
на замовлення 6117 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
157+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.