Продукція > ONSEMI > DTC114EET1G
DTC114EET1G

DTC114EET1G onsemi

DTC114E-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.07 грн
6000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114EET1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DTC114EET1G за ціною від 2.42 грн до 15.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114EET1G DTC114EET1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5137+2.75 грн
9000+2.63 грн
27000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 5137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+9.10 грн
140+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G ONSEMI DTC114E-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2/0.3W
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.84 грн
65+6.46 грн
109+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G onsemi DTC114E-D.PDF Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
46+6.57 грн
100+4.06 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+15.63 грн
81+9.32 грн
137+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G onsemi DTC114E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 65963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G On Semiconductor DTC114E-D.PDF TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75, SOT-416 Транзистори
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G dtc114ed.pdf
DTC114EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5137+2.75 грн
9000+2.63 грн
27000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 5137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G dtc114ed.pdf
DTC114EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+9.10 грн
140+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114E-D.PDF
DTC114EET1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2/0.3W
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.84 грн
65+6.46 грн
109+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114E-D.PDF
DTC114EET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
46+6.57 грн
100+4.06 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G dtc114ed.pdf
DTC114EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+15.63 грн
81+9.32 грн
137+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114E-D.PDF
DTC114EET1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 65963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G dtc114ed.pdf
DTC114EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G dtc114ed.pdf
DTC114EET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114E-D.PDF
Виробник: On Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75, SOT-416 Транзистори
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.