Продукція > ON SEMICONDUCTOR > DTC114EET1G
DTC114EET1G

DTC114EET1G ON Semiconductor

dtc114ed.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10274+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 10274
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DTC114EET1G за ціною від 1.30 грн до 13.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.24 грн
6000+1.92 грн
9000+1.80 грн
15000+1.56 грн
21000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4412+2.82 грн
9000+1.48 грн
27000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.33 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2/0.3W
Current gain: 35...60
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.58 грн
61+6.71 грн
91+4.46 грн
109+3.72 грн
500+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2/0.3W
Current gain: 35...60
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.50 грн
37+8.36 грн
55+5.36 грн
100+4.46 грн
500+3.01 грн
1000+2.57 грн
3000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 28093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.76 грн
49+6.71 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : onsemi DTC114E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 136829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.50 грн
49+7.41 грн
100+4.04 грн
500+2.87 грн
1000+2.56 грн
3000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+13.32 грн
109+8.00 грн
174+5.01 грн
500+3.33 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.