Продукція > ON SEMICONDUCTOR > DTC114EET1G
DTC114EET1G

DTC114EET1G ON Semiconductor

dtc114ed.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16667+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 16667
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC114EET1G за ціною від 0.65 грн до 11.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.12 грн
6000+0.72 грн
9000+0.71 грн
24000+0.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6819+1.79 грн
9804+1.24 грн
9934+1.23 грн
15000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 6819
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+2.11 грн
72000+1.92 грн
108000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+2.11 грн
18000+1.92 грн
27000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+2.11 грн
36000+1.92 грн
54000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.26 грн
6000+1.94 грн
9000+1.82 грн
15000+1.57 грн
21000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.48 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2/0.3W
Current gain: 35...60
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.41 грн
77+4.97 грн
91+4.20 грн
117+3.29 грн
500+2.20 грн
622+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+7.85 грн
148+5.58 грн
291+2.83 грн
500+2.48 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2/0.3W
Current gain: 35...60
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+8.89 грн
47+6.19 грн
55+5.05 грн
100+3.94 грн
500+2.64 грн
622+1.76 грн
1709+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 180985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+8.99 грн
60+5.65 грн
118+2.50 грн
1000+2.20 грн
3000+1.54 грн
9000+1.47 грн
99000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 26361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.91 грн
45+6.80 грн
100+4.18 грн
500+2.84 грн
1000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G Виробник : ONS dtc114e-d.pdf Транз. Бипол. (со встроенными резисторами 10k) ММ NPN EMT3 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30
на замовлення 6117 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
157+1.85 грн
179+1.51 грн
200+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.