DTC114EETL Rohm Semiconductor
на замовлення 301105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4425+ | 2.64 грн |
5191+ | 2.25 грн |
5475+ | 2.06 грн |
6000+ | 1.78 грн |
24000+ | 1.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC114EETL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: EMT, Produktpalette: DTC114E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DTC114EETL за ціною від 1.72 грн до 26.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTC114EETL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A; SOT416 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC114EETL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A; SOT416 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC114EETL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC114EETL | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 2046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC114EETL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: EMT Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 37936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC114EETL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: EMT Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 37936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC114EETL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 75307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC114EETL | Виробник : ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 50MA SOT-416 |
на замовлення 160319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC114EE TL | Виробник : ROHM | SOT23 |
на замовлення 9832 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DTC114EETL | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R |
товар відсутній |