DTC114EETL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.07 грн |
| 6000+ | 3.53 грн |
| 9000+ | 3.32 грн |
| 15000+ | 2.90 грн |
| 21000+ | 2.78 грн |
| 30000+ | 2.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC114EETL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: EMT, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC114E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTC114EETL за ціною від 2.36 грн до 21.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC114EETL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: EMT Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC114EETL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114EETL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 163566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC114EETL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75A; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Base-emitter resistor: 10kΩ Base resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114EETL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 53307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114EETL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: EMT Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC114EETL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN 50V 50MA SOT-416 |
на замовлення 106481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114EETL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DTC114EE TL | Виробник : ROHM | SOT23 |
на замовлення 9832 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DTC114EETL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R |
товару немає в наявності |