DTC114EMT2L Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7854+ | 1.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC114EMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції DTC114EMT2L за ціною від 3.89 грн до 28.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC114EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 17708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 8850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC114EMT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN 50V 50MA |
на замовлення 12573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DTC114EM T2L | Виробник : ROHM | SOT23 |
на замовлення 7700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
DTC114EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DTC114EMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 30 Power dissipation: 0.15W Frequency: 250MHz |
товару немає в наявності |