DTC114EU3HZGT106 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.09 грн |
| 1000+ | 5.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC114EU3HZGT106 ROHM
Description: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTC114EU3HZGT106 за ціною від 3.47 грн до 23.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTC114EU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 3522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DTC114EU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114EU3HZGT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323 |
на замовлення 11237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DTC114EU3HZGT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DTC114EU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
DTC114EU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
DTC114EU3HZGT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Kind of transistor: BRT |
товару немає в наявності |


