Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC114EU3HZGT106
DTC114EU3HZGT106

DTC114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor

dtc114eu3hzgt106-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2655+4.56 грн
2942+4.12 грн
3402+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 2655
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC114EU3HZGT106 за ціною від 3.71 грн до 21.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC114EU3HZGT106 DTC114EU3HZGT106 Виробник : ROHM dtc114eu3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.00 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3HZGT106 DTC114EU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor dtc114eu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1185+14.13 грн
2000+8.80 грн
3000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 1185
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3HZGT106 DTC114EU3HZGT106 Виробник : ROHM dtc114eu3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+16.20 грн
77+11.03 грн
150+5.67 грн
500+5.00 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3HZGT106 DTC114EU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.45 грн
26+12.13 грн
100+7.59 грн
500+5.24 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3HZGT106 DTC114EU3HZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323
на замовлення 11238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.97 грн
27+13.13 грн
100+7.18 грн
500+5.29 грн
1000+4.69 грн
3000+4.23 грн
6000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3HZGT106 DTC114EU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor dtc114eu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3HZGT106 DTC114EU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor dtc114eu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3HZGT106 DTC114EU3HZGT106 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC114EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 250MHz
Current gain: 30
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3HZGT106 DTC114EU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3HZGT106 DTC114EU3HZGT106 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC114EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 250MHz
Current gain: 30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.