DTC114EU3T106 Rohm Semiconductor


datasheet?p=DTC114EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 29817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.60 грн
6000+2.23 грн
9000+2.09 грн
15000+1.82 грн
21000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114EU3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC114E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC114EU3T106 за ціною від 2.03 грн до 14.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114EU3T106 DTC114EU3T106 Rohm Semiconductor dtc114ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 6141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2632+5.39 грн
2713+5.23 грн
5000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 2632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 DTC114EU3T106 Rohm Semiconductor dtc114ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+10.13 грн
127+5.98 грн
500+4.45 грн
1000+3.58 грн
3000+2.57 грн
6000+2.33 грн
9000+2.10 грн
15000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 DTC114EU3T106 Rohm Semiconductor dtc114ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+10.21 грн
2355+6.02 грн
3055+4.64 грн
3513+3.89 грн
4703+2.69 грн
6000+2.35 грн
9000+2.11 грн
15000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 DTC114EU3T106 ROHM dtc114ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.68 грн
143+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 DTC114EU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 29817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
39+7.70 грн
100+4.76 грн
500+3.25 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 DTC114EU3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.85 грн
39+8.18 грн
100+4.42 грн
500+3.18 грн
1000+2.83 грн
3000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 DTC114EU3T106 ROHM dtc114ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+14.66 грн
69+11.68 грн
143+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 dtc114ee3-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 6141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2632+5.39 грн
2713+5.23 грн
5000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 2632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 dtc114ee3-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+10.13 грн
127+5.98 грн
500+4.45 грн
1000+3.58 грн
3000+2.57 грн
6000+2.33 грн
9000+2.10 грн
15000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 dtc114ee3-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1389+10.21 грн
2355+6.02 грн
3055+4.64 грн
3513+3.89 грн
4703+2.69 грн
6000+2.35 грн
9000+2.11 грн
15000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 dtc114ee3-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.68 грн
143+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 datasheet?p=DTC114EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 29817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.20 грн
39+7.70 грн
100+4.76 грн
500+3.25 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 datasheet?p=DTC114EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.85 грн
39+8.18 грн
100+4.42 грн
500+3.18 грн
1000+2.83 грн
3000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EU3T106 dtc114ee3-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+14.66 грн
69+11.68 грн
143+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.