DTC114EUBTL Rohm Semiconductor
на замовлення 10163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2703+ | 4.58 грн |
| 2783+ | 4.45 грн |
| 5000+ | 4.33 грн |
| 10000+ | 4.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC114EUBTL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-85, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3F, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції DTC114EUBTL за ціною від 2.11 грн до 14.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTC114EUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 2463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114EUBTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR |
на замовлення 3069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DTC114EUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3FPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DTC114EUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 3232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DTC114EUB TL | Виробник : ROHM | SOT23/SOT323 |
на замовлення 7959 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
DTC114EUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3FPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товару немає в наявності |

