Продукція > ROHM > DTC114GU3HZGT106
DTC114GU3HZGT106

DTC114GU3HZGT106 ROHM

3047831.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.60 грн
1000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114GU3HZGT106 ROHM

Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC114GU3HZGT106 за ціною від 2.35 грн до 31.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC114GU3HZGT106 DTC114GU3HZGT106 Виробник : ROHM 3047831.pdf Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+2.98 грн
283+2.92 грн
289+2.86 грн
500+2.60 грн
1000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3HZGT106 DTC114GU3HZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0007910799_1-2562398.pdf Digital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC114GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.16 грн
17+20.05 грн
100+11.11 грн
1000+5.30 грн
3000+4.27 грн
9000+3.75 грн
24000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3HZGT106 DTC114GU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor Description: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3HZGT106 DTC114GU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor Description: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.