Продукція > ROHM > DTC114GU3HZGT106
DTC114GU3HZGT106

DTC114GU3HZGT106 ROHM

3047831.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+14.81 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114GU3HZGT106 ROHM

Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC114GU3HZGT106 за ціною від 3.31 грн до 29.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114GU3HZGT106 DTC114GU3HZGT106 ROHM 3047831.pdf Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.99 грн
49+16.67 грн
100+16.35 грн
500+14.81 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3HZGT106 DTC114GU3HZGT106 ROHM Semiconductor ROHM_S_A0007910799_1-2562398.pdf Digital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC114GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.24 грн
17+18.82 грн
100+10.42 грн
1000+4.97 грн
3000+4.00 грн
9000+3.52 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3HZGT106 DTC114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor Description: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3HZGT106 3047831.pdf
DTC114GU3HZGT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+16.99 грн
49+16.67 грн
100+16.35 грн
500+14.81 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3HZGT106 ROHM_S_A0007910799_1-2562398.pdf
DTC114GU3HZGT106
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC114GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+29.24 грн
17+18.82 грн
100+10.42 грн
1000+4.97 грн
3000+4.00 грн
9000+3.52 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3HZGT106
DTC114GU3HZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3HZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.