DTC114TE3HZGTL

DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DTC114TE3HZGTL за ціною від 3.47 грн до 31.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc114te3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1128+10.38 грн
1167+ 10.03 грн
2500+ 9.74 грн
Мінімальне замовлення: 1128
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Виробник : ROHM dtc114te3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.98 грн
500+ 8 грн
1000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.97 грн
15+ 21.34 грн
100+ 10.55 грн
1000+ 5.34 грн
3000+ 4.61 грн
9000+ 3.67 грн
24000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.61 грн
14+ 21.21 грн
100+ 12 грн
500+ 7.46 грн
1000+ 5.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Виробник : ROHM dtc114te3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+31.98 грн
32+ 23.44 грн
100+ 11.98 грн
500+ 8 грн
1000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 24
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc114te3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)