DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC114TE3HZGTL за ціною від 3.80 грн до 27.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc114te3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
839+16.97 грн
1339+10.64 грн
1814+7.85 грн
2128+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc114te3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
838+17.00 грн
1336+10.66 грн
1812+7.86 грн
2122+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 838 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc114te3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1132+17.47 грн
2000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 1132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.60 грн
24+12.78 грн
100+7.99 грн
500+5.54 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors Transistor, NPN Digital (AEC-Q101 Qualified)
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
13+23.46 грн
22+14.21 грн
100+7.75 грн
500+5.70 грн
1000+5.12 грн
3000+4.17 грн
6000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc114te3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.53 грн
45+16.97 грн
100+10.64 грн
500+7.57 грн
1000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL ROHM dtc114te3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL ROHM dtc114te3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc114te3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc114te3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL dtc114te3hzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
839+16.97 грн
1339+10.64 грн
1814+7.85 грн
2128+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL dtc114te3hzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
838+17.00 грн
1336+10.66 грн
1812+7.86 грн
2122+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 838 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL dtc114te3hzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1132+17.47 грн
2000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 1132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.60 грн
24+12.78 грн
100+7.99 грн
500+5.54 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors Transistor, NPN Digital (AEC-Q101 Qualified)
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.46 грн
22+14.21 грн
100+7.75 грн
500+5.70 грн
1000+5.12 грн
3000+4.17 грн
6000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL dtc114te3hzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.53 грн
45+16.97 грн
100+10.64 грн
500+7.57 грн
1000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL dtc114te3hzgtl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL dtc114te3hzgtl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL dtc114te3hzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL dtc114te3hzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.