Продукція > ROHM > DTC114TE3TL
DTC114TE3TL

DTC114TE3TL ROHM


dtc114te3-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.68 грн
111+7.37 грн
500+4.62 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114TE3TL ROHM

Description: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC114T Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DTC114TE3TL за ціною від 3.20 грн до 57.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC114TE3TL DTC114TE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc114te3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1193+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 1193
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3TL DTC114TE3TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.99 грн
29+10.70 грн
100+6.65 грн
500+4.59 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3TL DTC114TE3TL Виробник : ROHM dtc114te3-e.pdf Description: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+18.90 грн
70+11.68 грн
111+7.37 грн
500+4.62 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3TL DTC114TE3TL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors NPN, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.20 грн
27+12.16 грн
100+6.61 грн
500+4.94 грн
1000+4.31 грн
3000+3.55 грн
6000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3TL DTC114TE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc114te3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1244+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 1244
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3TL DTC114TE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc114te3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3TL DTC114TE3TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.