DTC114TE3TL

DTC114TE3TL Rohm Semiconductor


dtc114te3-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114TE3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Produktpalette: DTC114T Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DTC114TE3TL за ціною від 3.07 грн до 28.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC114TE3TL DTC114TE3TL Виробник : ROHM dtc114te3-e.pdf Description: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+7.16 грн
1000+ 3.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTC114TE3TL DTC114TE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc114te3-e.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.83 грн
18+ 15.93 грн
100+ 8.03 грн
500+ 6.15 грн
1000+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
DTC114TE3TL DTC114TE3TL Виробник : ROHM Semiconductor dtc114te3-e.pdf Digital Transistors NPN, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.09 грн
17+ 19.04 грн
100+ 9.35 грн
1000+ 4.81 грн
3000+ 4.07 грн
9000+ 3.27 грн
24000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTC114TE3TL DTC114TE3TL Виробник : ROHM dtc114te3-e.pdf Description: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+28.76 грн
36+ 20.97 грн
100+ 10.78 грн
500+ 7.16 грн
1000+ 3.92 грн
Мінімальне замовлення: 27