Продукція > ON SEMICONDUCTOR > DTC114TET1G
DTC114TET1G

DTC114TET1G ON Semiconductor

dtc114t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7693+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 7693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114TET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DTC114TET1G за ціною від 1.73 грн до 14.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DTC114TET1G DTC114TET1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 304476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17143+2.06 грн
100000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 17143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.31 грн
6000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 27000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 27000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 11409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
44+6.87 грн
100+4.24 грн
500+2.89 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.40 грн
82+9.20 грн
83+9.12 грн
129+5.66 грн
262+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G ONSEMI ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G ONSEMI ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G onsemi dtc114t-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 77039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.10 грн
41+7.76 грн
100+4.20 грн
500+3.10 грн
1000+2.69 грн
3000+2.00 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
DTC114TET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 304476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17143+2.06 грн
100000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 17143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
DTC114TET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.31 грн
6000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
DTC114TET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 27000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
DTC114TET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 27000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
DTC114TET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 11409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.62 грн
44+6.87 грн
100+4.24 грн
500+2.89 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
DTC114TET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
53+14.40 грн
82+9.20 грн
83+9.12 грн
129+5.66 грн
262+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTC114TET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTC114TET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
DTC114TET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 77039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+13.10 грн
41+7.76 грн
100+4.20 грн
500+3.10 грн
1000+2.69 грн
3000+2.00 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.