Продукція > ON SEMICONDUCTOR > DTC114TET1G
DTC114TET1G

DTC114TET1G ON Semiconductor

dtc114t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8523+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 8523
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114TET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DTC114TET1G за ціною від 1.57 грн до 13.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7937+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 7937
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4133+3.02 грн
6000+2.98 грн
9000+2.53 грн
15000+2.41 грн
24000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 4133
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 304476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7813+3.99 грн
10000+3.57 грн
100000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 7813
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.16 грн
44+7.29 грн
100+4.54 грн
500+3.09 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+13.67 грн
108+6.65 грн
109+6.58 грн
130+5.29 грн
250+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G Виробник : onsemi DTC114T-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 80889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.75 грн
44+8.04 грн
100+4.41 грн
500+3.19 грн
1000+2.81 грн
3000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G Виробник : ONSEMI dtc114t-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Current gain: 160...350
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.