Продукція > ON SEMICONDUCTOR > DTC114TET1G
DTC114TET1G

DTC114TET1G ON Semiconductor

dtc114t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7693+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 7693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114TET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-75, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC114TET1G за ціною від 1.73 грн до 14.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114TET1G DTC114TET1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 304476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17143+2.06 грн
100000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 17143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 27000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 27000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G onsemi DTC114T-D.PDF Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.30 грн
40+7.53 грн
100+4.64 грн
500+3.16 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.37 грн
82+9.18 грн
83+9.10 грн
129+5.65 грн
260+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G ONSEMI ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G ONSEMI ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G ON Semiconductor DTC114T-D.PDF
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G onsemi DTC114T-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 71029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
DTC114TET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 304476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17143+2.06 грн
100000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 17143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
DTC114TET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 27000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
DTC114TET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 27000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114T-D.PDF
DTC114TET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.30 грн
40+7.53 грн
100+4.64 грн
500+3.16 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
DTC114TET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+14.37 грн
82+9.18 грн
83+9.10 грн
129+5.65 грн
260+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTC114TET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTC114TET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114T-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114T-D.PDF
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 71029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.