Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC114TMT2L
DTC114TMT2L

DTC114TMT2L Rohm Semiconductor

dtc114tubtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 5603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4274+3.33 грн
4412+3.23 грн
5000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4274 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114TMT2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC114T Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC114TMT2L за ціною від 3.14 грн до 33.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114TMT2L DTC114TMT2L Rohm Semiconductor dtc114tubtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.33 грн
4412+3.23 грн
5000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L DTC114TMT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L DTC114TMT2L Rohm Semiconductor dtc114tubtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2646+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 2646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L DTC114TMT2L Rohm Semiconductor dtc114tubtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
692+20.58 грн
1086+13.12 грн
1451+9.81 грн
1825+7.52 грн
2249+5.65 грн
8000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 692 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L DTC114TMT2L Rohm Semiconductor dtc114tubtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
691+20.61 грн
1084+13.14 грн
1455+9.79 грн
1823+7.53 грн
3043+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 691 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L DTC114TMT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 14255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.22 грн
19+15.75 грн
100+9.89 грн
500+6.89 грн
1000+6.12 грн
2000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L DTC114TMT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114TM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50V 100MA
на замовлення 6174 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
11+28.58 грн
18+17.41 грн
100+9.58 грн
500+7.09 грн
1000+5.63 грн
5000+4.61 грн
8000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L DTC114TMT2L Rohm Semiconductor dtc114tubtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1397+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 1397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L DTC114TMT2L Rohm Semiconductor dtc114tubtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.94 грн
37+20.58 грн
100+13.12 грн
500+9.46 грн
1000+6.97 грн
2000+5.43 грн
8000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L DTC114TMT2L ROHM dtc114te3-e.pdf Description: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L DTC114TMT2L ROHM dtc114te3-e.pdf Description: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L dtc114tubtl-e.pdf
DTC114TMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4274+3.33 грн
4412+3.23 грн
5000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L datasheet?p=DTC114TM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114TMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L dtc114tubtl-e.pdf
DTC114TMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2646+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 2646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L dtc114tubtl-e.pdf
DTC114TMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
692+20.58 грн
1086+13.12 грн
1451+9.81 грн
1825+7.52 грн
2249+5.65 грн
8000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 692 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L dtc114tubtl-e.pdf
DTC114TMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
691+20.61 грн
1084+13.14 грн
1455+9.79 грн
1823+7.53 грн
3043+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 691 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L datasheet?p=DTC114TM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114TMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 14255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.22 грн
19+15.75 грн
100+9.89 грн
500+6.89 грн
1000+6.12 грн
2000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L datasheet?p=DTC114TM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114TMT2L
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN 50V 100MA
на замовлення 6174 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.58 грн
18+17.41 грн
100+9.58 грн
500+7.09 грн
1000+5.63 грн
5000+4.61 грн
8000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L dtc114tubtl-e.pdf
DTC114TMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1397+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 1397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L dtc114tubtl-e.pdf
DTC114TMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+33.94 грн
37+20.58 грн
100+13.12 грн
500+9.46 грн
1000+6.97 грн
2000+5.43 грн
8000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L dtc114te3-e.pdf
DTC114TMT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TMT2L dtc114te3-e.pdf
DTC114TMT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.