DTC114TSATP (біполярний транзистор NPN) Rohm
Код товару: 28218
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Rohm
Корпус: TO-92S
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 600
Примітка: 10k+10k
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції DTC114TSATP (біполярний транзистор NPN)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DTC114TSATP | Rohm |
  TO-92S Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
DTC114TSATP | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SPT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DTC114TSATP | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| DTC114TSATP |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DTC114TSATP |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.