DTC114TU3HZGT106 Rohm Semiconductor


dtc114tu3hzgt106-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3668+3.87 грн
3779+3.75 грн
5000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114TU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC114TU3HZGT106 за ціною від 3.18 грн до 21.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114TU3HZGT106 DTC114TU3HZGT106 ROHM dtc114tu3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.11 грн
117+6.92 грн
500+4.70 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TU3HZGT106 DTC114TU3HZGT106 ROHM dtc114tu3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.28 грн
73+11.11 грн
117+6.92 грн
500+4.70 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TU3HZGT106 DTC114TU3HZGT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
27+11.14 грн
100+6.97 грн
500+4.82 грн
1000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TU3HZGT106 DTC114TU3HZGT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114TU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors Digital Trans w/Res UMT3
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.50 грн
25+12.78 грн
100+6.97 грн
500+5.11 грн
1000+4.49 грн
3000+3.52 грн
6000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TU3HZGT106 DTC114TU3HZGT106 Rohm Semiconductor dtc114tu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TU3HZGT106 DTC114TU3HZGT106 Rohm Semiconductor dtc114tu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TU3HZGT106 dtc114tu3hzgt106-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.11 грн
117+6.92 грн
500+4.70 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TU3HZGT106 dtc114tu3hzgt106-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+18.28 грн
73+11.11 грн
117+6.92 грн
500+4.70 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TU3HZGT106 datasheet?p=DTC114TU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.42 грн
27+11.14 грн
100+6.97 грн
500+4.82 грн
1000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TU3HZGT106 datasheet?p=DTC114TU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors Digital Trans w/Res UMT3
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.50 грн
25+12.78 грн
100+6.97 грн
500+5.11 грн
1000+4.49 грн
3000+3.52 грн
6000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TU3HZGT106 dtc114tu3hzgt106-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TU3HZGT106 dtc114tu3hzgt106-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.