DTC114TU3T106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.67 грн |
| 21+ | 15.09 грн |
| 100+ | 7.39 грн |
| 500+ | 5.79 грн |
| 1000+ | 4.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC114TU3T106 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms.
Інші пропозиції DTC114TU3T106
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC114TU3T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
DTC114TU3T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
DTC114TU3T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
товару немає в наявності |