DTC114TUAT106 Rohm Semiconductor
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3589+ | 3.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC114TUAT106 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms.
Інші пропозиції DTC114TUAT106 за ціною від 2.13 грн до 20.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC114TUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC114TUAT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN 50V 100MA SOT-323 |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114TUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
на замовлення 5965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DTC114TUA-T106 | Виробник : ROHM | SOT423 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |