Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC114WU3HZGT106
DTC114WU3HZGT106

DTC114WU3HZGT106 Rohm Semiconductor

dtc114wu3hzgt106-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2505+5.65 грн
2578+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 2505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114WU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114WU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC114WU3HZGT106 за ціною від 4.32 грн до 22.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 Rohm Semiconductor dtc114wu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2229+6.35 грн
2443+5.79 грн
2852+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 2229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 Rohm Semiconductor dtc114wu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+16.95 грн
100+11.23 грн
500+8.14 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 Rohm Semiconductor dtc114wu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
835+16.95 грн
1260+11.23 грн
1739+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 835 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 Rohm Semiconductor dtc114wu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1034+17.82 грн
2000+11.13 грн
3000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 1034 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114WU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NPN, SOT-323, R1R2 LEAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+13.13 грн
100+8.22 грн
500+5.69 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114WU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors NPN, SOT-323, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 ROHM 4117215.pdf Description: ROHM - DTC114WU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 ROHM 4117215.pdf Description: ROHM - DTC114WU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 dtc114wu3hzgt106-e.pdf
DTC114WU3HZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2229+6.35 грн
2443+5.79 грн
2852+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 2229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 dtc114wu3hzgt106-e.pdf
DTC114WU3HZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+16.95 грн
100+11.23 грн
500+8.14 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 dtc114wu3hzgt106-e.pdf
DTC114WU3HZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
835+16.95 грн
1260+11.23 грн
1739+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 835 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 dtc114wu3hzgt106-e.pdf
DTC114WU3HZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1034+17.82 грн
2000+11.13 грн
3000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 1034 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 datasheet?p=DTC114WU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTC114WU3HZGT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R1R2 LEAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.47 грн
23+13.13 грн
100+8.22 грн
500+5.69 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 datasheet?p=DTC114WU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTC114WU3HZGT106
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN, SOT-323, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 4117215.pdf
DTC114WU3HZGT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114WU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3HZGT106 4117215.pdf
DTC114WU3HZGT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114WU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.