Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC114WU3T106
DTC114WU3T106

DTC114WU3T106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTC114WU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R1R2 LEAK
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.83 грн
24+12.55 грн
100+7.80 грн
500+5.40 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 15 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114WU3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC114WU3T106 за ціною від 3.66 грн до 22.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114WU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors Transistor, NPN, SOT-323, R1?R2 Leak Absorption Type Digital (Bias Resistor Built-in )
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
14+22.78 грн
22+13.88 грн
100+7.53 грн
500+5.63 грн
1000+4.90 грн
6000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 ROHM 4117220.pdf Description: ROHM - DTC114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 Rohm Semiconductor dtc114wu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 Rohm Semiconductor dtc114wu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 Rohm Semiconductor dtc114wu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 ROHM 4117220.pdf Description: ROHM - DTC114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3T106 datasheet?p=DTC114WU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTC114WU3T106
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors Transistor, NPN, SOT-323, R1?R2 Leak Absorption Type Digital (Bias Resistor Built-in )
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.78 грн
22+13.88 грн
100+7.53 грн
500+5.63 грн
1000+4.90 грн
6000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3T106 4117220.pdf
DTC114WU3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3T106 dtc114wu3t106-e.pdf
DTC114WU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3T106 dtc114wu3t106-e.pdf
DTC114WU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3T106 dtc114wu3t106-e.pdf
DTC114WU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114WU3T106 4117220.pdf
DTC114WU3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.