DTC114YCAT116

DTC114YCAT116 Rohm Semiconductor


dtc114ycat116-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2632+5.30 грн
2713+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 2632
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114YCAT116 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DTC114YCAT116 за ціною від 3.35 грн до 48.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC114YCAT116 DTC114YCAT116 Виробник : Rohm Semiconductor dtc114ycat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2266+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 2266
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YCAT116 DTC114YCAT116 Виробник : Rohm Semiconductor dtc114ycat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1131+12.35 грн
1848+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 1131
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YCAT116 DTC114YCAT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114YCA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.65 грн
34+8.96 грн
100+5.54 грн
500+3.81 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YCAT116 DTC114YCAT116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114YCA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor
на замовлення 6623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
32+10.16 грн
100+5.49 грн
500+4.03 грн
1000+3.62 грн
3000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YCAT116 DTC114YCAT116 Виробник : Rohm Semiconductor dtc114ycat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1471+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 1471
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YCAT116 DTC114YCAT116 Виробник : Rohm Semiconductor dtc114ycat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YCAT116 DTC114YCAT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114YCA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.