DTC114YEBTL

DTC114YEBTL Rohm Semiconductor


dtc114ye3-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2646+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 2646
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114YEBTL Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL), Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DTC114YEBTL за ціною від 2.57 грн до 21.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC114YEBTL DTC114YEBTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc114ye3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 5814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1422+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 1422
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YEBTL DTC114YEBTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114YEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
32+10.08 грн
100+5.49 грн
500+4.03 грн
1000+3.55 грн
3000+2.85 грн
6000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YEBTL DTC114YEBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114YEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.21 грн
31+10.02 грн
100+6.17 грн
500+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YEBTL DTC114YEBTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc114yetl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1909+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 1909
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YEBTL DTC114YEBTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc114yetl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 6012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1938+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 1938
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YEBTL DTC114YEBTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc114ye3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YEBTL DTC114YEBTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc114ye3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YEBTL DTC114YEBTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc114ye3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YEBTL DTC114YEBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114YEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.