DTC114YU3HZGT106

DTC114YU3HZGT106 Rohm Semiconductor


datasheet?p=DTC114YU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114YU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114YU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC114Y Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC114YU3HZGT106 за ціною від 3.56 грн до 24.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC114YU3HZGT106 DTC114YU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114YU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.94 грн
27+12.26 грн
100+7.66 грн
500+5.30 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YU3HZGT106 DTC114YU3HZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114YU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors NPN 50V 0.1A 22kO SOT-323
на замовлення 8972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+22.50 грн
27+13.45 грн
100+7.36 грн
500+5.42 грн
1000+4.80 грн
3000+3.95 грн
6000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YU3HZGT106 DTC114YU3HZGT106 Виробник : ROHM dtc114yu3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - DTC114YU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+24.07 грн
60+14.60 грн
100+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YU3HZGT106 DTC114YU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor dtc114yu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YU3HZGT106 DTC114YU3HZGT106 Виробник : ROHM dtc114yu3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - DTC114YU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YU3HZGT106 DTC114YU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor dtc114yu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.