DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor


datasheet?p=DTC114YUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: UMT3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DTC114YUAT106 за ціною від 2.46 грн до 16.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114YUAT106 DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor dtc114yetl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2646+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 2646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor dtc114yetl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 17147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1471+10.02 грн
3750+3.78 грн
3760+3.77 грн
6000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor dtc114yetl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+12.05 грн
103+7.37 грн
500+5.14 грн
1000+4.15 грн
3000+3.26 грн
6000+2.88 грн
9000+2.68 грн
15000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor dtc114yetl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1170+12.12 грн
1911+7.42 грн
2641+5.37 грн
3031+4.51 грн
3704+3.42 грн
6000+2.90 грн
9000+2.70 грн
15000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 1170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114YUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.57 грн
100+5.90 грн
500+4.05 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 dtc114yetl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2646+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 2646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 dtc114yetl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 17147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1471+10.02 грн
3750+3.78 грн
3760+3.77 грн
6000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 dtc114yetl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+12.05 грн
103+7.37 грн
500+5.14 грн
1000+4.15 грн
3000+3.26 грн
6000+2.88 грн
9000+2.68 грн
15000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 dtc114yetl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1170+12.12 грн
1911+7.42 грн
2641+5.37 грн
3031+4.51 грн
3704+3.42 грн
6000+2.90 грн
9000+2.70 грн
15000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 1170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 datasheet?p=DTC114YUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.31 грн
32+9.57 грн
100+5.90 грн
500+4.05 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.