Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC114YUAT106
DTC114YUAT106

DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTC114YUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC114Y Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції DTC114YUAT106 за ціною від 2.69 грн до 20.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC114YUAT106 DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor dtc114yetl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2646+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 2646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor dtc114yetl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 17147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1471+9.99 грн
3750+3.77 грн
3760+3.76 грн
6000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114YUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.55 грн
100+5.89 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor dtc114yetl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+20.54 грн
3000+3.98 грн
6000+3.53 грн
9000+3.16 грн
15000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor dtc114yetl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+20.54 грн
3555+3.98 грн
6000+3.53 грн
9000+3.16 грн
15000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 DTC114YUAT106 ROHM 2006255.pdf Description: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 DTC114YUAT106 ROHM 2006255.pdf Description: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 dtc114yetl-e.pdf
DTC114YUAT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2646+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 2646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 dtc114yetl-e.pdf
DTC114YUAT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 17147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1471+9.99 грн
3750+3.77 грн
3760+3.76 грн
6000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 datasheet?p=DTC114YUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114YUAT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
32+9.55 грн
100+5.89 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 dtc114yetl-e.pdf
DTC114YUAT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+20.54 грн
3000+3.98 грн
6000+3.53 грн
9000+3.16 грн
15000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 dtc114yetl-e.pdf
DTC114YUAT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
689+20.54 грн
3555+3.98 грн
6000+3.53 грн
9000+3.16 грн
15000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 2006255.pdf
DTC114YUAT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106 2006255.pdf
DTC114YUAT106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.