DTC115EMT2L Rohm Semiconductor
на замовлення 7904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1342+ | 9.09 грн |
| 1387+ | 8.80 грн |
| 2500+ | 8.54 грн |
| 5000+ | 8.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC115EMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms.
Інші пропозиції DTC115EMT2L за ціною від 4.12 грн до 30.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC115EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC115EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC115EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC115EMT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DGTL NPN 50V 20MA |
на замовлення 12133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC115EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DTC115EMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
DTC115EMT2L NPN SMD transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
DTC115EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
товару немає в наявності |