DTC115GU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.51 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC115GU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DTC115GU3HZGT106 за ціною від 3.01 грн до 23.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC115GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DTC115GU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC115GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DTC115GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DTC115GU3HZGT106 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 22.22 грн |
| 24+ | 12.84 грн |
| 100+ | 7.99 грн |
| 500+ | 5.53 грн |
| 1000+ | 4.89 грн |
| DTC115GU3HZGT106 |
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC115GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou
Digital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC115GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 23.70 грн |
| 22+ | 14.19 грн |
| 100+ | 5.64 грн |
| 1000+ | 5.04 грн |
| 3000+ | 3.69 грн |
| 9000+ | 3.16 грн |
| 24000+ | 3.01 грн |
| DTC115GU3HZGT106 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 926+ | 19.14 грн |