Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC115GU3T106
DTC115GU3T106

DTC115GU3T106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTC115GU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC115GU3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC115G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC115GU3T106 за ціною від 2.97 грн до 13.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC115GU3T106 DTC115GU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC115GU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
38+8.06 грн
100+4.95 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106 DTC115GU3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC115GU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
на замовлення 12508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106 DTC115GU3T106 ROHM datasheet?p=DTC115GU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - DTC115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106 DTC115GU3T106 ROHM datasheet?p=DTC115GU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - DTC115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106 datasheet?p=DTC115GU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC115GU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
38+8.06 грн
100+4.95 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106 datasheet?p=DTC115GU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC115GU3T106
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
на замовлення 12508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106 datasheet?p=DTC115GU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC115GU3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106 datasheet?p=DTC115GU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC115GU3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.