DTC115GUAT106 Rohm Semiconductor


datasheet?p=DTC115GUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
32+9.55 грн
100+5.88 грн
500+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC115GUAT106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: UMT3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA.

Інші пропозиції DTC115GUAT106

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC115GUAT106 DTC115GUAT106 Rohm Semiconductor dtc115guat106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GUAT106 dtc115guat106-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2174 шт
В кошику  од. на суму  грн.