DTC115TCAT116 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1204+ | 12.04 грн |
| 1633+ | 8.88 грн |
| 1850+ | 7.83 грн |
| 2159+ | 6.47 грн |
| 3000+ | 5.68 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1204 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC115TCAT116 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms.
Інші пропозиції DTC115TCAT116 за ціною від 4.42 грн до 20.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC115TCAT116 | Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DTC115TCAT116 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DTC115TCAT116 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DTC115TCAT116 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| DTC115TCAT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 81+ | 15.35 грн |
| 100+ | 9.55 грн |
| 500+ | 6.94 грн |
| 1000+ | 5.85 грн |
| 3000+ | 4.42 грн |
| DTC115TCAT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 944+ | 15.35 грн |
| 1517+ | 9.55 грн |
| 2090+ | 6.94 грн |
| 2389+ | 5.85 грн |
| 3000+ | 4.42 грн |
| DTC115TCAT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.18 грн |
| 26+ | 11.89 грн |
| 100+ | 7.41 грн |
| 500+ | 5.11 грн |
| 1000+ | 4.52 грн |
| DTC115TCAT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)