Продукція > ONSEMI > DTC115TET1G

DTC115TET1G onsemi

Виробник: onsemi
Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR

на замовлення 9043 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
25+	14.97 грн
26+	14.30 грн
1000+	4.02 грн
3000+	2.20 грн
6000+	1.97 грн
9000+	1.73 грн
24000+	1.26 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DTC115TET1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 100 kOhms.

Інші пропозиції DTC115TET1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DTC115TET1G	Виробник : ON Semiconductor	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DTC115TET1G	Виробник : ON Semiconductor	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DTC115TET1G	Виробник : onsemi	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DTC115TET1G	Виробник : onsemi	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.