DTC115TU3T106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R1 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC115TU3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC115T Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.
Інші пропозиції DTC115TU3T106 за ціною від 4.89 грн до 24.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTC115TU3T106 | Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-323, R1 ALONE TYPE DIGIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC115TU3T106 | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DTC115TU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC115T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DTC115TU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DTC115TU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DTC115TU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 552 шт В кошику од. на суму грн. |
| DTC115TU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R1 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Description: NPN, SOT-323, R1 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.02 грн |
| 22+ | 13.80 грн |
| 27+ | 11.22 грн |
| 100+ | 7.82 грн |
| 250+ | 6.48 грн |
| 500+ | 5.66 грн |
| 1000+ | 4.89 грн |
| DTC115TU3T106 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
Digital Transistors NPN, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DTC115TU3T106 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTC115TU3T106 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTC115TU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTC115TU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




