Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC123ECAHZGT116
DTC123ECAHZGT116

DTC123ECAHZGT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTC123ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.28 грн
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC123ECAHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC123ECAHZGT116 за ціною від 2.98 грн до 13.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC123ECAHZGT116 DTC123ECAHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 350 mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
38+8.06 грн
100+4.96 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116 DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC123ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116 DTC123ECAHZGT116 Rohm Semiconductor dtc123ecahzg-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116 DTC123ECAHZGT116 ROHM dtc123ecahzg-e.pdf Description: ROHM - DTC123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116 DTC123ECAHZGT116 ROHM dtc123ecahzg-e.pdf Description: ROHM - DTC123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116 DTC123ECAHZGT116 Rohm Semiconductor dtc123ecahzg-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116 datasheet?p=DTC123ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC123ECAHZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 350 mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
38+8.06 грн
100+4.96 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116 datasheet?p=DTC123ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC123ECAHZGT116
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116 dtc123ecahzg-e.pdf
DTC123ECAHZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116 dtc123ecahzg-e.pdf
DTC123ECAHZGT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116 dtc123ecahzg-e.pdf
DTC123ECAHZGT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116 dtc123ecahzg-e.pdf
DTC123ECAHZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1191 шт
В кошику  од. на суму  грн.