Продукція > ROHM > DTC123EE3TL
DTC123EE3TL

DTC123EE3TL ROHM

dtc123ee3-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC123EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+12.97 грн
111+7.27 грн
500+4.55 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC123EE3TL ROHM

Description: ROHM - DTC123EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC123EE3TL за ціною від 2.97 грн до 20.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC123EE3TL DTC123EE3TL Rohm Semiconductor dtc123ee3-e.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.99 грн
100+6.84 грн
500+4.73 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TL DTC123EE3TL ROHM dtc123ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC123EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.69 грн
63+12.97 грн
111+7.27 грн
500+4.55 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TL DTC123EE3TL ROHM Semiconductor dtc123ee3-e.pdf Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
27+12.07 грн
100+9.60 грн
500+6.49 грн
1000+5.66 грн
3000+3.31 грн
6000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TL DTC123EE3TL Rohm Semiconductor dtc123ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TL dtc123ee3-e.pdf
DTC123EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.64 грн
28+10.99 грн
100+6.84 грн
500+4.73 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TL dtc123ee3-e.pdf
DTC123EE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC123EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+18.69 грн
63+12.97 грн
111+7.27 грн
500+4.55 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TL dtc123ee3-e.pdf
DTC123EE3TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+20.05 грн
27+12.07 грн
100+9.60 грн
500+6.49 грн
1000+5.66 грн
3000+3.31 грн
6000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TL dtc123ee3-e.pdf
DTC123EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.