DTC123EE Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 20@20MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.54 грн |
| 6000+ | 1.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123EE Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 20@20MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-523, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.
Інші пропозиції DTC123EE за ціною від 1.42 грн до 8.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC123EE | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 20@20MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| DTC123EE | Виробник : Yangjie Electronic Technology |
DTC123EE |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| DTC123EE | Виробник : ROHM |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DTC123EE | Виробник : ROHM |
09+ |
на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
|
DTC123EE Код товару: 139287
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
| DTC123EE | Виробник : onsemi |
SS SC75 BR XSTR NPN 50V |
товару немає в наявності |