DTC123EEBTL

DTC123EEBTL Rohm Semiconductor


dtc123ee3-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1471+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 1471
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC123EEBTL Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL), Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DTC123EEBTL за ціною від 1.69 грн до 17.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC123EEBTL DTC123EEBTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC123EEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 100mA; 50V EMT3F
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.94 грн
32+10.74 грн
100+4.49 грн
1000+3.90 грн
3000+2.80 грн
9000+1.84 грн
45000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEBTL DTC123EEBTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc123ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEBTL DTC123EEBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123EEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEBTL DTC123EEBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123EEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.