DTC123EET1G

DTC123EET1G ON Semiconductor


dtc123ed.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 32888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17143+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 17143
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC123EET1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DTC123EET1G за ціною від 1.85 грн до 14.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC123EET1G DTC123EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17143+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 17143
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1G DTC123EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17143+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 17143
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1G DTC123EET1G Виробник : onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1G DTC123EET1G Виробник : onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.96 грн
44+7.57 грн
100+4.67 грн
500+3.19 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1G DTC123EET1G Виробник : onsemi DTC123E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 7153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+14.44 грн
44+8.45 грн
100+4.63 грн
500+3.35 грн
1000+2.95 грн
3000+2.32 грн
6000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1G Виробник : ONSEMI RE_DSHEET_DTC123EET1G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - DTC123EET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1G DTC123EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1G DTC123EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1G Виробник : ONSEMI dtc123e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 8...15
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.