Продукція > ONSEMI > DTC123EM3T5G
DTC123EM3T5G

DTC123EM3T5G onsemi

dtc123e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC123EM3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DTC123EM3T5G за ціною від 2.37 грн до 18.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC123EM3T5G DTC123EM3T5G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9678+3.19 грн
10870+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 9678
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5G DTC123EM3T5G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 158573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9678+3.19 грн
10870+2.83 грн
100000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 9678
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5G DTC123EM3T5G Виробник : onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.27 грн
31+10.29 грн
100+6.41 грн
500+4.41 грн
1000+3.89 грн
2000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5G DTC123EM3T5G Виробник : onsemi DTC123E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.27 грн
32+11.10 грн
100+6.08 грн
500+4.41 грн
1000+3.50 грн
5000+3.12 грн
8000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5G Виробник : ONSEMI RE_DSHEET_DTC123EM3T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - DTC123EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf
на замовлення 6060 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5G DTC123EM3T5G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5G Виробник : ONSEMI dtc123e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.