
DTC123EMFHAT2L ROHM Semiconductor

Digital Transistors Digital transistor (100mA-50V), Built-in bias resistor, NPN, 3-Pin
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 26.03 грн |
15+ | 23.72 грн |
100+ | 17.47 грн |
1000+ | 16.66 грн |
2500+ | 12.55 грн |
8000+ | 3.89 грн |
24000+ | 3.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123EMFHAT2L ROHM Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції DTC123EMFHAT2L за ціною від 4.26 грн до 19.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTC123EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
DTC123EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
DTC123EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
DTC123EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |