Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC123EU3T106
DTC123EU3T106

DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC123E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC123EU3T106 за ціною від 1.97 грн до 16.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 7576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.31 грн
4412+3.21 грн
5000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 6312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1430+9.89 грн
2270+6.23 грн
3139+4.51 грн
3624+3.76 грн
4226+2.99 грн
6000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 1430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1340+10.56 грн
2159+6.55 грн
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 1340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.50 грн
54+7.79 грн
80+5.22 грн
100+4.41 грн
500+3.10 грн
1000+2.72 грн
3000+2.28 грн
6000+2.07 грн
9000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
39+7.84 грн
100+4.84 грн
500+3.30 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1421+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 1421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 ROHM dtc123ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 ROHM dtc123ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 dtc123eu3t106-e.pdf
DTC123EU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 7576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4274+3.31 грн
4412+3.21 грн
5000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 dtc123eu3t106-e.pdf
DTC123EU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 6312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1430+9.89 грн
2270+6.23 грн
3139+4.51 грн
3624+3.76 грн
4226+2.99 грн
6000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 1430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 dtc123eu3t106-e.pdf
DTC123EU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1340+10.56 грн
2159+6.55 грн
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 1340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC123EU3T106
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.50 грн
54+7.79 грн
80+5.22 грн
100+4.41 грн
500+3.10 грн
1000+2.72 грн
3000+2.28 грн
6000+2.07 грн
9000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC123EU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
39+7.84 грн
100+4.84 грн
500+3.30 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 dtc123eu3t106-e.pdf
DTC123EU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1421+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 1421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC123EU3T106
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 dtc123ee3-e.pdf
DTC123EU3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 dtc123eu3t106-e.pdf
DTC123EU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 dtc123eu3t106-e.pdf
DTC123EU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 dtc123ee3-e.pdf
DTC123EU3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 dtc123eu3t106-e.pdf
DTC123EU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 dtc123eu3t106-e.pdf
DTC123EU3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1613 шт
В кошику  од. на суму  грн.