Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC123EU3T106
DTC123EU3T106

DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC123E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC123EU3T106 за ціною від 1.72 грн до 14.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Виробник : ROHM dtc123ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Виробник : Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1340+9.09 грн
2159+5.64 грн
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 1340
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
на замовлення 10215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.93 грн
54+7.36 грн
100+4.52 грн
500+3.26 грн
511+1.82 грн
1403+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.15 грн
41+7.84 грн
100+4.85 грн
500+3.31 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
на замовлення 8497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.74 грн
42+8.48 грн
100+4.56 грн
500+3.34 грн
1000+2.96 грн
3000+2.58 грн
6000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.32 грн
33+9.17 грн
100+5.42 грн
500+3.91 грн
511+2.18 грн
1403+2.06 грн
75000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Виробник : ROHM dtc123ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.66 грн
93+9.21 грн
150+5.71 грн
500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Виробник : Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Виробник : Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Виробник : Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.