Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC123JE3HZGTL
DTC123JE3HZGTL

DTC123JE3HZGTL Rohm Semiconductor

dtc123je3hzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4762+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 4762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC123JE3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC123JE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC123JE3HZGTL за ціною від 2.76 грн до 28.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC123JE3HZGTL DTC123JE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc123je3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4762+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 4762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTL DTC123JE3HZGTL ROHM dtc123je3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC123JE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.13 грн
500+5.15 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTL DTC123JE3HZGTL ROHM dtc123je3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC123JE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.02 грн
63+12.97 грн
100+8.13 грн
500+5.15 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTL DTC123JE3HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC123JE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.15 грн
24+13.42 грн
100+7.32 грн
500+5.38 грн
3000+3.73 грн
6000+3.31 грн
9000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTL DTC123JE3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123JE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
16+19.22 грн
100+9.71 грн
500+7.44 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTL DTC123JE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc123je3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTL dtc123je3hzgtl-e.pdf
DTC123JE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4762+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 4762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTL dtc123je3hzgtl-e.pdf
DTC123JE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC123JE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.13 грн
500+5.15 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTL dtc123je3hzgtl-e.pdf
DTC123JE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC123JE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+21.02 грн
63+12.97 грн
100+8.13 грн
500+5.15 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTL datasheet?p=DTC123JE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC123JE3HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+22.15 грн
24+13.42 грн
100+7.32 грн
500+5.38 грн
3000+3.73 грн
6000+3.31 грн
9000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTL datasheet?p=DTC123JE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC123JE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.74 грн
16+19.22 грн
100+9.71 грн
500+7.44 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTL dtc123je3hzgtl-e.pdf
DTC123JE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.